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SO-DIMM DDR3 Memory

AQD-SD3L4GN16-SG1

研華 4G SO-DDR3-1600 204 針 512MX8 1.35V 無緩衝三星晶片

  • DDR3 1600兆赫無緩衝 SO-DIMM
  • 30μ“ 鍍金厚度
  • 1.35V功耗
  • 三星原裝晶片

技術資源連結：

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  • 研華 4G SO-DDR3-1600 204 針 512MX8 1.35V 無緩衝三星晶片

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